Электричество из пирамиды схема
Автор фото, Getty Images. Американские ученые говорят, что раскрыли одну из тайн пирамид Египта. До последнего времени не было точно известно, как именно создателям пирамид удавалось перевозить огромное количество каменных блоков, из которых построена 31 пирамида в Гизе. Группа ученых из Университета Северной Каролины в Уилмингтоне установила, что пирамиды, вероятно, были построены около одного из притоков Нила — давно исчезнувшего и сейчас погребенного под песками Сахары и сельскохозяйственными угодьями.В современном Египте пирамиды стоят посреди пустыни. Строили их в других условиях, выяснили ученые
Сорок веков смотрят на вас с высоты этих пирамид. Наполеон Загадка египетских пирамид Пирамиды — самое удивительное чудо из семи чудес древности, единственное, дошедшее до наших дней. О пирамидах знали в Вавилоне, Греции, Риме.
Что отняло больше энергии: строительство Великой Пирамиды Хеопса или программа «Аполлон»? Если взять энергию, которая пошла на строительство Пирамиды, хватит ли ее для запуска ракеты на Луну и обратно? В запасе топлива одного Сатурна-5 хватило бы энергии, чтоб поднять с поверхности и сложить пирамидкой в 20 раз больше камней, чем ушло на пирамиду Хеопса. Так ответил бы типичный физик, просто подсчитав с учетом притяжения Земли, сколько нужно затратить энергии, чтобы поднять идеальные каменные блоки [ 1 ].
Светоизлучающее полупроводниковое устройство согласно изобретению содержит: подложку; первый слой из полупроводника с проводимостью n-типа, сформированный на подложке; второй слой из полупроводника с проводимостью р-типа; активный слой, расположенный между первым и вторым слоями; проводящий слой, расположенный на втором слое; первый контакт, нанесенный на подложку; второй контакт, нанесенный на проводящий слой, при этом подложка содержит, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, выполненное в форме усеченной инвертированной пирамиды, при этом первый, второй, активный и проводящий слои нанесены как на горизонтальные участки подложки, так и на внутренние грани отверстий. Изобретение обеспечивает повышение эффективности светоизлучающих полупроводниковых приборов при одновременном подавлении негативных эффектов, связанных с вершинами инвертированных поверхностных пирамид 18 з. Изобретение относится к области светоизлучающих устройств, в особенности к светоизлучающим полупроводниковым диодам с высокой эффективностью. Полупроводниковый светодиодный чип является основным компонентом технологии твердотельного освещения. Напряжение, приложенное между двумя контактами светодиодных чипов, индуцирует электрический ток через р-n переход, и светодиодный чип излучает свет из-за излучательной рекомбинации электронов и дырок. Преимуществами светодиодных чипов являются продолжительный период службы, высокая надежность, высокий коэффициент электрооптического преобразования и малое потребление электрической энергии.